【大学频道】西北大学物理学院呈献 | 西安电子科技大学韩根全研究员
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图 | 韩根全研究员
题 目：Advanced CMOS Devices: High Mobility Channel Transistors, Negative Capacitance FET, Ferro FET
报告人：韩根全
单 位：西安电子科技大学
时 间：2019-05-17
地 点：西北大学
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报告摘要
Technologies that enable VDD reduction were discussed.
To reach sub 0.7 V VDD regime with Si channel aggresive strain engineering is needed. For p-FEts, SiGe channel may be used.
To reach sub 0.5 V VDD regime, high mobility MOSFETs will be used.
To reach 0.1~0.3 V VDD Negative Capacitance or Tunneling Transistors might be used.
个人简介
韩根全，本科毕业于清华大学，在中国科学院半导体研究所获得博士学位，微电子学院教授，优秀青年基金获得者。从2008年到2013年韩根全博士在新加坡国立大学Silicon Nano Device Laboratory (SNDL)实验室从事高端CMOS器件研制。韩博士在高迁移率非硅材料CMOS器件、隧穿晶体管以及负电容晶体管器件研制方面取得了国际领先的研究成果，相关研究成果被Semiconductor Today等网站多次转载。韩根全博士发表论文180篇，在IEEE顶级会议International Electron Devices Meeting (IEDM) 和 VLSI Symposium on Technology (VLSI) 上发表多篇文章。
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